采用高速CMOS技術的低功耗同步DRAM
2026-04-17 10:19:36
1、低功耗同步DRAM概述
英尚代理的鈺創EM638325BK系列SDRAM是一款高速CMOS包含64兆位的同步DRAM。它是內部配置為四路512K x 32 DRAM帶有同步接口(所有信號記錄在時鐘信號的正沿，CLK)。DRAM每個512K×32位的存儲體都是有組織的如2048行乘256列乘32位。EM638325提供可編程讀取或寫入1、2、4、8或整頁的突發長度，具有突發終止選項。DRAM自動預充電可以啟用函數來提供自定時行在突發結束時啟動的預充電序列。刷新功能，自動或自動刷新很容易使用。通過擁有可編程的模式寄存器，系統可以選擇最最大化其性能的合適模式。這些低功耗DRAM非常適合要求高性能的應用內存帶寬。
2、低功耗同步DRAM EM638325BK系列特征：
①DRAM密度：64Mb
②組織：2Mx32
③DRAM速度：200/166/143
④Vdd接口：3.3V，LVTTL
⑤DRAM封裝：90球FBGA
⑥快速訪問時間:5/5.4/5.4 ns
⑦快速時鐘速率:200/166/143 MHz
⑧四個內部存儲體(512K x 32位x 4個存儲體)
⑨環境溫度:0~70攝氏度
⑩4096個刷新周期/64毫秒
?單+3.3V±0.3V電源
?完全同步運行
?內部流水線架構
?突發停止功能
?自動刷新和自我刷新
3、低功耗同步DRAM EM638325BK系列其他型號：
①低功耗同步DRAM EM638325TS-5G
②低功耗同步DRAM EM638325TS-6G
③低功耗同步DRAM EM638325TS-7G
④低功耗同步DRAM EM638325BK-5H
⑤低功耗同步DRAM EM638325BK-6H
⑥低功耗同步DRAM EM638325BK-7H
上一篇文章：使用SPI RAM芯片擴展嵌入式存儲空間
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