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智能電表耐久性MRAM存儲器參考方案

2025-11-05 09:57:42

智能電表通過多種有線和無線網絡傳輸電力數據,使電力公司能夠實時、精確地監控用電情況。借助這些實時數據,電力公司可以有效監測用量、快速識別異常,從而優化運營效率并降低成本。由于智能電表需要持續記錄數據,因此高耐久性和高可靠性的存儲器成為關鍵。同時,隨著OTA(空中升級)功能的普及,存儲器的快速寫入能力也愈發重要。
 
英尚微電子推出的MRAM存儲器,憑借其卓越性能,成為滿足智能電表高耐久性與高速寫入需求的理想選擇。它不僅可替代傳統的NOR Flash、FeRAM和nvSRAM,還具備優異的非易失特性與更長的使用壽命。MRAM提供多種容量規格,能夠全面覆蓋智能電表的不同存儲需求,實現對電力數據的完整記錄與精準管理。
 
MRAM存儲器關鍵參數:
①容量范圍:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb、64Mb
②電源電壓:1.8V(1.71V~1.98V)或3.3V(2.7V~3.6V)
③接口類型:MRAM存儲器支持單線、雙線及四線SPI,兼容SDR與DDR模式
④內置糾錯機制:MRAM存儲器無需外部ECC
⑤封裝形式:8WSON、8SOP、16SOP、24FBGA,符合工業標準
 
MRAM存儲器核心優勢:
①高速讀寫性能:大幅提升數據寫入與讀取效率
②近乎無限耐久性:MRAM存儲器支持高達1億次寫入周期,遠超傳統存儲
③字節級尋址能力:MRAM存儲器容量配置更靈活,軟件管理更高效
④優化OTA體驗:MRAM存儲器顯著縮短程序更新時間,有效降低系統功耗
⑤斷電數據安全:在突發斷電情況下快速恢復,保障數據完整
⑥數據持久保存:斷電后數據可保持10年以上不丟失
 
英尚微的MRAM存儲器以其獨特的性能組合,為智能電表系統提供了高可靠、高效率的存儲解決方案,如需存儲器技術咨詢、選型需求或應用支持,歡迎聯系我們。
 
 
本文關鍵詞:MRAM,存儲器
 

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商,十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

 

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