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中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新可能與美國DRAM廠商ISSI合并

2016-11-21 09:37:22

        近來中國發(fā)展半導體存儲芯片產業(yè)的勢頭猛進,整并、建廠動作一波接一波。相關廠商也基本都取得了相應的技術授權或者技術支持,武漢新芯啟動的存儲器項目跟飛索半導體達成了技術授權合作,且其本身有一定的技術儲備,而晉江晉華打造內存基地則是由臺灣聯(lián)電負責技術開發(fā)。
  日前中國存儲芯片產業(yè)又跑出了一匹黑馬—兆易創(chuàng)新。此前科技新報指出中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新可能與美國DRAM廠商ISSI(Integrated Silicon Solution)合并(ISSI于去年7月份被武岳峰資本收購),從9月份停牌至今的兆易創(chuàng)新于19 日發(fā)出持續(xù)停牌公告,并正式揭露了將與ISSI整并的消息。
  兆易創(chuàng)新公告中指出,公司擬收購北京閃勝投資公司,北京閃勝主要擁有先前以中國私募基金武岳峰為首所收購的美DRAM廠商ISSI股份,兆易創(chuàng)新若與ISSI合并,加上現(xiàn)有的NOR Flash 技術,將成為Flash與DRAM兼?zhèn)涞木C合型存儲芯片廠商。
  ISSI主要設計與銷售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產品,主要應用于汽車、工業(yè)、醫(yī)療、網絡、行動通訊等。
  中國存儲產業(yè)海外并購異常艱難,在ISSI前僅有紫光收購從奇夢達分拆出來的西安華芯半導體一家DRAM企業(yè)。
  近日,又有媒體報道兆易創(chuàng)新傳出與中芯國際前執(zhí)行長王寧國所主導的合肥長鑫國家隊共同在合肥建立存儲芯片廠。
  日前,該項目的環(huán)評文件曝光也間接證實了此消息,文件顯示:該項目總投資達人民幣494億元,一期主要目標是在合肥空港經濟示范區(qū)建造一條占地超過800畝的12英寸晶圓產線,預計2017年7月竣工,目標產能每月12.5萬片。
  目前,大陸存儲芯片制造產業(yè)布局已形成武漢、晉江、合肥鐵三角態(tài)勢,未來三地若能形成聯(lián)動,加強合作溝通,規(guī)避惡性競爭,將會進一步助力中國存儲芯片產業(yè)早日實現(xiàn)突破。

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