ISSI主要產品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。為汽車、通信、數字消費、以及工業和醫療等主要市場設計開發和銷售高性能集成電路的技術翹楚。
 
IS61WV51216 SRAM芯片是一個8M容量，組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態隨機存儲器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創新的電路設計技術，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡單實現存儲器擴展。
 
這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：單糾錯-雙糾錯）在內的創新電路設計技術相結合，可產生高性能和高度可靠的設備。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內存擴展。有效的低寫入使能(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。采用標準44引腳TSOP(TYPEII)封裝。

本文關鍵詞：SRAM,IS65WV51216EBLL

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