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偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。
winbond華邦電子聚焦于中低容量產品，提供規格完整的串口式閃存（Serial Flash）和并行式閃存（Parallel Flash）產品以及PSRAM芯片產品，滿足小尺寸封裝規格，具有腳數低、體積小、成本低的特性；拓展應用于行動裝置、消費電子，以及多樣性之車用電子、物聯網和穿戴裝置等應用領域。winbond華邦電子運用技術自主之優勢及謹慎規劃的產能策略，建立極具彈性的生產體系，并發揮產品組合相乘所產生之綜效，充分滿足客戶多元化需求、落實自有品牌之發展。該品牌非我司代理產品線
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16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16BDGB-701 70ns -40~85℃ -- 暫無
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